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氮化鎵對開關電源效率提升發表時間：2019-04-22 00:00 GaN 是什么？ 革新電力工程行業 氮化鎵（或 GaN）正在為電力工程行業帶來變革，它實現了以往硅 MOSFET 從未達到的高速度、高效率和更高功率密度。 GaN 固有的較低柵極和輸出電容支持以兆赫茲級的開關頻率運行，同時降低柵極和開關損耗，從而提高效率。不同于硅，GaN 不需要體二極管，因而消除了反向恢復損耗，并進一步提高了效率、減少了開關節點振鈴和 EMI。  GaN 功率氮化鎵解決方案電路板 通過集成技術實現最高性能 我們的 GaN 系列解決方案集成了高速柵極驅動器、EMI 控制、過熱和過流保護，同時具有 100ns 的響應時間。集成式器件使布局得以優化，能夠最大限度地減少寄生電感、提高 dv/dt 抗擾性 (CMTI)，并縮小布板空間。 廣泛的產品系列為幾乎所有應用提供了易于使用的解決方案，以便于充分利用 GaN 技術的優勢。  GaN 功率集成 對器件和系統級可靠性充滿信心 我們作為半導體技術行業的領導者，在將可靠的半導體產品推向市場方面擁有長期經驗。我們的 GaN 器件所采用的 GaN 技術通過了 2,000 萬小時的實際應用硬開關器件可靠性加速測試，可在器件和系統級別為工程師提供可靠性。 上一篇定制--高速響應電源
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